Číslicová technika - 87

Programování ROM 74188.

Dnes pokročíme od teorie k praxi a vyzkoušíme si programování další z řady pamětí ROM konstrukce TTL. Obvodem použitým pro dnešní zapojení bude 74188. Mezi jeho hlavní vlastnosti patří zejména stejný programovací algoritmus jako u obvodu 74186, se kterým jsme se již setkali v zapojení z 85. dílu.
Další specifikací je pak jeho velikost paměťové matice o kapacitě 32 x 8 bitů, která je tak o polovinu menší než u 74186. Díky této vlastnosti ho bylo možné umístit do mnohem menšího pouzdra s pouhými 16ti vývody.
Vlastní užití v praktickém zapojení nijak neodbočuje z již dříve uvedených způsobů a díky jednoduchému způsobu programování do něj lze jednoduše zaznamenat potřebná data. Je tedy jedním z ideálních obvodů, které lze využít v amatérských zapojeních. O něco horší je to však s jeho sháněním. U většiny prodejců elektronických součástek ho lze sehnat pouze na objednávku.

Pokusné zapojení obsahuje opět dvě odlišnosti od většiny zapojení předešlých. První zvláštností je potřeba napájecího napětí dvou napěťových úrovní a druhou odlišností je potřeba generátoru programovacího impulsu pro zapsání vlastní binární informace do paměti. Jak bylo již řečeno je programování shodné s obvodem 74186. Schéma obou těchto odlišností – zdroje a generátoru použijeme tedy stejné. Stejný bude i postup při programování.

1. Nejprve se nastavíme adresu kterou chceme naprogramovat.
2. Výstup bitu, který má mít po naprogramování log. hodnotu 1 připojíme na GND (ostatní musí být v log. nule, programování se provádí po jednom bitu dané adresy) a zvýšíme napájecí napětí celého obvodu Ucc z 5 na 10V.
3. Na negovaný vstup E přivedeme stlačením tlačítka ZÁPIS programovací impuls o šířce 1 ms, který bude mít po tuto dobu logickou úroveň 0. Pomocí něj dojde k zapsání dané informace do paměti. Výsledkem bude přerušení drátové propojky a tedy zapsání dané binární informace.

Tímto způsobem je naprogramován jeden bit dané adresy. Dále můžeme pokračovat v programování bitu dalšího, nebo přejít na další adresu v paměťové matici.
Souhrn komponent, které budeme pro toto zapojení potřebovat je následující: nepájivé pole, drátové propojky, obvody NE555, 74188, 7810, 7805, elektrolytické kondenzátory s kapacitou 1, 10 a 100uF. Dále pak dvě baterie s napětím devíti voltů a jedno miniaturní tlačítko.
Dnes jsme si tedy ukázali další pokusné zapojení s pamětí ROM. Příští díl bude věnován teoretickým poznatkům o další paměti.

Své případné podněty a dotazy týkající se seriálu můžete zasílat na adresu: cislicovatechnika@volny.cz